迄今為止，以硅（Si）、砷化鎵（GaAs）為代表的第一、第二代半導體推動(dòng)了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。隨著(zhù)電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導體器件需求也在增加，電流、電壓等級越來(lái)越高，芯片越薄越小，導通壓降低，開(kāi)關(guān)頻率高、損耗小等等。Si基半導體由于材料特性所限已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足需求，而以碳化硅SiC等新材料為主的新型半導體材料，以其優(yōu)越的性能突破Si的瓶頸，給半導體器件性能帶來(lái)了顯著(zhù)提升。
